IPB021N06N3 G
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IPB021N06N3 G参数：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1毫欧@100A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@196µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：275nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：23000pF@30V
功率-最大值：250W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-2